1 月 25 日，英特尔宣布成功实现基于先进半导体封装技术的规模化生产，其中亮点包括突破性的 3D 封装技术 Foveros。此次技术成果由美国新墨西哥州升级完善后的 Fab 9 产线实现。英特尔公司执行副总裁兼首席全球运营官 Keyvan Esfarjani 对此感到自豪：“尖端封装技术使英特尔在芯片产品性能、大小与设计应用灵活度上独具竞争力。”

当前，由于整个半导体产业步入将多个‘芯粒’（Chiplets）整合于单一封装的新世代，芬柯斯（Foveros）与 EMIB（嵌入式多芯片互联桥接）等英特尔先进封装技术应运而生。它们不仅能在单个包装内集成十万亿个晶体管， 芯片采购平台到 2030 年代还将持续推动摩尔定律前进。

英特尔运用 Foveros 的 3D 封装技术，实现了计算单元以垂直方式而非水平进行堆积的制造工艺。同时，它为英特尔及其代工厂合作伙伴提供了整合各类计算芯片、优化成本及能源效率的可能性。

按照该公司计划，预计至 2025 年底，3D Foveros 封装产能将提升四倍。

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