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三星 相关话题

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3月15日消息,消息称三星公司计划在韩国京畿道龙仁市设立占地215万坪(约合710万平方米)的国家级工业综合体,搭建5条尖端半导体制造生产线。 报道中指出三星计划在2042年在京畿道投资300万亿韩元(当前约1.58万亿元人民币),打造世界最大的、以单一综合体为基础的高科技系统半导体集群。 三星将该项目称为“SamsungSemiconductorMegaCluster”,计划连接器兴区(Giheung)、华城市(Hwaseong)和平泽市(Pyeongtaek)的现有半导体生产基地。
标题:三星CL10B102KB8NNNC贴片陶瓷电容CAP CER 1000PF 50V X7R 0603的技术和应用介绍 在电子设备中,电容是一种重要的元件,而贴片陶瓷电容是一种常用的电容类型。三星CL10B102KB8NNNC是一款常用的贴片陶瓷电容,具有许多技术特点和方案应用。 首先,关于技术特点,三星CL10B102KB8NNNC采用陶瓷作为电介质,具有高介电常数,使得它具有高容量特性。此外,它的体积小,适合在电路板等小空间中应用。另外,它的耐高温性能好,工作温度范围较广,能够在恶劣环
随着科技的飞速发展,电子设备的功能越来越强大,对内存的需求也日益增长。三星K4B1G1646I-BHMA BGA封装DDR储存芯片作为一种重要的内存芯片,在各类电子产品中发挥着不可或缺的作用。本文将介绍三星K4B1G1646I-BHMA BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用。 一、技术特点 三星K4B1G1646I-BHMA是一款采用BGA封装的DDR储存芯片。BGA是Ball Grid Array的简称,是一种先进的封装技术,具有高密度、高电流传输、高可靠性的特点。这种芯片采用特殊的焊接
随着科技的飞速发展,电子设备在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。其中,内存芯片作为电子设备的重要组成部分,其性能和稳定性直接影响着设备的运行速度和稳定性。三星K4B1G1646I-BCNB BGA封装DDR储存芯片作为一种高性能的内存芯片,在各类电子产品中得到了广泛的应用。本文将就三星K4B1G1646I-BCNB BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用进行介绍。 一、技术特点 三星K4B1G1646I-BCNB BGA封装DDR储存芯片采用了先进的BGA封装技术。这种技术通过将芯片焊
3月17日消息,根据行业消息源,三星电子位于美国得克萨斯州泰勒市(Taylor)的半导体芯片工厂受到“通货膨胀”影响,原本的投资预算从170亿美元(当前约1173亿元人民币)上涨至250亿美元(当前约1725亿元人民币),增加了80亿美元。 就在今年1月16日消息,三星电子半导体芯片部门负责人庆桂显(KyungKye-hyun)本周五在个人Instagram上表示,位于美国得克萨斯州泰勒市(Taylor)的新半导体工厂建设进展顺利,将按计划在今年内完工。他在Instagram中表示:“泰勒市的
3月18日,据Pulse News报道,三星最近合并了位于横滨和大阪的两个研发机构(半导体和显示器),在日本创建了一个名为DSRJ的综合研发中心。据报道,新中心位于三星横滨研究所内。 三星表示,合并两个研发中心的主要原因是韩日关系缓和,希望在日本建立新的半导体和显示器研发中心。 据报道,三星在日本成立了一个新的设备体验部设备体验研究中心,名为“三星日本研究中心”三星希望通过重组与设备解决方案相关的研发组织,提升半导体和显示器综合开发能力。
标题:三星CL10A225KO8NNNC贴片陶瓷电容CAP CER 2.2UF 16V X5R 0603的应用介绍 在电子设备中,电容是一种重要的元件,用于储存和释放电荷。三星CL10A225KO8NNNC贴片陶瓷电容是一种常见的电容类型,具有独特的性能和特点。本文将介绍三星CL10A225KO8NNNC贴片陶瓷电容的应用、技术方案以及相关注意事项。 一、技术规格 三星CL10A225KO8NNNC贴片陶瓷电容具有以下技术规格:容量为2.2微法,电压范围为16伏,介质为X5R,封装形式为060
随着科技的飞速发展,电子设备的功能越来越强大,对内存的需求也日益增长。三星K4B1G1646I-BCMA BGA封装DDR储存芯片作为一种重要的内存器件,在各类电子产品中发挥着不可或缺的作用。本文将介绍三星K4B1G1646I-BCMA BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用。 一、技术特点 三星K4B1G1646I-BCMA BGA封装DDR储存芯片采用了先进的内存技术,具有高容量、高速度、低功耗等特点。该芯片采用了BGA封装技术,具有更高的集成度,可以减少电路板的空间占用,提高设备的便携
随着科技的飞速发展,电子设备的功能越来越强大,对内存的需求也日益增长。三星K4B1G1646I-BCK0 BGA封装DDR储存芯片作为一种重要的内存芯片,在各类电子产品中发挥着不可或缺的作用。本文将对该芯片的技术和方案应用进行详细介绍。 一、技术特点 三星K4B1G1646I-BCK0 BGA封装DDR储存芯片采用了先进的内存技术,包括DDR3 SDRAM和BGA封装方式。其中,DDR3 SDRAM技术保证了芯片的高效读写速度,而BGA封装方式则使得芯片具有更高的集成度,更小的体积和更好的散热
三星电子会长李在镕已于2023年3月23日抵达北京参加中国发展高层论坛。 并于3月24日视察了天津三星电机有限公司。他一行走访的是该公司的多层陶瓷片式电容器(MLCC)生产线,陶瓷电容MLCC是半导体重要的电力供应部件,在电子产品和新能源汽车和自动驾驶技术领域广泛应用。 全球汽车陶瓷电容MLCC市场预计将继续以每年近40%的速度增长,从今年的29亿美元增长到2026年的40亿美元。三星计划将韩国釜山打造成陶瓷电容MLCC的专业领域,并将天津工厂作为电动汽车陶瓷电容MLCC的主要生产基地。