1 月 25 日，英特尔宣布成功实现基于先进半导体封装技术的规模化生产，其中亮点包括突破性的 3D 封装技术 Foveros。此次技术成果由美国新墨西哥州升级完善后的 Fab 9 产线实现。英特尔公司执行副总裁兼首席全球运营官 Keyvan Esfarjani 对此感到自豪：“尖端封装技术使英特尔在芯片产品性能、大小与设计应用灵活度上独具竞争力。”

当前，由于整个半导体产业步入将多个‘芯粒’（Chiplets）整合于单一封装的新世代，芬柯斯（Foveros）与 EMIB（嵌入式多芯片互联桥接）等英特尔先进封装技术应运而生。它们不仅能在单个包装内集成十万亿个晶体管，到 2030 年代还将持续推动摩尔定律前进。

英特尔运用 Foveros 的 3D 封装技术， 芯片采购平台实现了计算单元以垂直方式而非水平进行堆积的制造工艺。同时，它为英特尔及其代工厂合作伙伴提供了整合各类计算芯片、优化成本及能源效率的可能性。

按照该公司计划，预计至 2025 年底，3D Foveros 封装产能将提升四倍。

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